• Sat. Oct 18th, 2025

MIKROELECTRONICA

Blog pentru pasionații de electronică și nu numai

Robert Noyce – 84 de ani de la naşterea unui geniu în electronică. Google Doodle îl omagiaza pe “primarul din Silicon Valley”.

Robert Norton Noyce (n. 12 decembrie 1927, Burlington, Iowa – d. 3 iunie 1990, Austin, Texas), supranumit „Primarul din Silicon Valley” este co-fondatorul Fairchild Semiconductor în 1957 și al Intel în 1968.

În anul 1959 Robert Noyce a creat primul circuit integrat planar pe baza de siliciu, dupa ce in prealabil (12 septembrie 1958 – zi celebrata de Texas Instruments) fusese folosit germaniul de catre Jack Kilby.  Inventia lui Noyce consta dintr-un circuit electronic complet, aflat în interiorul unui mic cip de siliciu – si a contribuit la revolutionarea industriei semiconductorilor din Silicon Valley. Aproape toate circuitele integrate fabricate în prezent utilizeaza o forma sau alta din tehnica de productie a lui Noyce.

Robert Noyce a dovedit din tinerețe abilitățile de inventator, reușind să construiască la vârsta de doar 12 ani un avion compact cu care a planat de pe acoperișul colegiului la care studia.

Absolvent al faimosului Massachusetts Institute of Technology, Robert Noyce a fost mereu un vizionar. Simțind impactul pe care urma să îl aibă invenția sa, acesta a fondat în 1968 împreună cu Gordon Moore o mică companie pe care azi o cunoașteți sub numele de Intel.

Și-a folosit de asemenea influența pe care o avea în Silicon Valley pentru a ajuta nenumărați tineri ambițioși care doreau să își lanseze propriile afaceri în domeniul IT, iar influența sa în acest sector i-a adus porecla de „primarul din Silicon Valley”, noteaza connect.ro

Motorul de cautare Google.ro isi schimba din nou logoul de start pentru a-l omagia pe Robert Noyce, inventatorul primul circuit integrat planar pe baza de siliciu. Astfel google il saluta pe celebrul tehnician la 84 de ani de la nastere.

„Robert Noyce a creat ceea ce a devenit ulterior procesul standard de productie pentru fabricarea circuitelor integrate pe wafere de siliciu”, a declarat Justin Ratner, Intel Senior Fellow si Chief Technology Officer.

„Fara ideea lui Noyce de a crea un circuit integrat planar pe baza de siliciu, omenirea nu ar fi ajuns in punctul unde se afla astazi. Circuitele integrate pe baza de siliciu sunt intrebuintate in aproape toate echipamentele electronice si se poate spune cu adevarat ca ele au revolutionat lumea produselor electronice.”

Noyce a obtinut 16 brevete, printre care amintim: Medalia Nationala de Stiinta, Medalia Nationala pentru Tehnologie, IEEE Medalia de Onoare şi Premiul Draper Charles al Academiei Nationale de Inginerie.

Robert Noyce a murit  in urma unui atac de cord pe 3 Iunie 1990, in locuinţa sa din Austin, Texas. la varsta de 63 de ani.

By Stefan

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *

*

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.